随着芯片制程低于7 nm，互连线后端填充的Cu线电阻急剧增加，而平均自由程更低的金属Co可以用来取代Cu，以减少由外表面和晶界处发生的散射导致的线电IDN-6556浓度阻RAD001临床试验增长。在此选用CoSO_(4)作为主盐，硼酸为缓冲剂，以孔雀石绿（MG）为抑制剂进行研究。通过电化学伏安法测试，发现随着MG浓度的增加，金属Co的沉积过电势逐渐增加，沉积受到抑制。利用电化学石英晶体微天平测试，得出加入MG的加入对整个沉积过程产生明显的抑制作用。这是因为MG容易吸附在阴极表面，与Co~(2+)形成配位键，从而抑制了Co~(2+)还原。而且随着对流过程的增强，阴极电流密度逐渐减小。最终确定镀液配方为0.4 mol/L CoSO_(4)，0.5 mol/L硼酸，少量Cl~(-)，20 ×10~(-6) MPS和10 ×10~(-6) MG，在-1.27 V，pH=4的条件下，可以实现微米级别PCB盲孔的超填充。由计时电流法测定的曲线分析得出金属Co的成核方式为三维瞬时成核。通过量化计算和分子静电势可知，静电势分布在78-35 kcal·moimmunological ageingl~(-1) 之间，MG分子中与氮相连的共轭结构吸附在阴极表面，而其中的苯环结构通过离域π键结构与Co~(2+)发生作用，从而抑制了Co~(2+)沉积过程。